此外SiC化学性质稳定,与大多数化学药品不起反应,因此便于压印结束后用不同的化学药品对印章进行清洗。在制作印章的过程中,先在SiC表面镀上一层具有高选比(38&1)的铬薄膜,作为后序工艺反应离子刻蚀的刻蚀掩模,随后在铬薄膜上均匀涂覆ZEP抗蚀剂,再用电子束光刻在ZEP抗蚀剂上光刻出纳米图案。为了打破SiC的化学键,必须在SiC上加高电压。最后在350V的直流电压下,用反应离子刻蚀在SiC表面得到具有光滑的刻蚀表面和垂直面型的纳米图案。

整个热压印过程可以分为三个步骤：

(1)聚合物被加热到它的玻璃化温度以上。这样可减少在压印过程中聚合物的粘性,增加流动性,在一定压力下,就能迅速发生形变。但温度太高也没必要,因为这样会增加升温和降温的时间,进而影响生产效率,而对模压结构却没有明显改善,甚至会使聚合物弯曲而导致模具受损。同时为了保证在整个压印过程中聚合物保持相同的粘性,必须通过加热器控制加热温度不变。

(2)在印章上施加机械压力,约为500~1000KPa[9]。在印章和聚合物间加大压力可填充模具中的空腔。

(3)压印过程结束后,整个叠层被冷却到聚合物玻璃化温度以下,以使图案固化,提供足够大的机械强度,便于脱模。然后用反应离子刻蚀将残余的聚合物(PM�MA)去掉,模板上的纳米图案完整地转移到硅基底表面的聚合物上,再结合刻蚀技术把图形转移到硅基底上。

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