X射线掩模的基本结构包括薄膜、吸收体、框架、衬底，其中薄膜衬基材料一般使用Si、SiC、金刚石。吸收体主要使用金、钨等材料，其结构图如图所示：

对于掩模的性能要求如下：

1、要能够使X射线以及其他光线的有效透过，且保障其有足够的机械强度，具有高的X射线的吸收性，且要足够厚。

2、保障其高宽比的量，且其要有高度的分辨率以及反差。

3、对于其掩模的尺寸要保障其精度，要没有缺陷或者缺陷较少。

对于衬基像Si3N4膜常常使用低压CVD，而常常使用蒸发溅射电镀等方法制造吸收体。为提高X射线掩模质量需要正确选择材料、优化工艺。

X射线光刻技术不仅拥有高分辨率，并且有高出产率的优点。通过目前对X射线光刻技术应用现状来看，要将投入量产，使其在大规模或超大规模IC电路的生产中发挥更重要的作用，突破高精度图形掩模技术难关已经如同箭在弦上。

纳米压印光刻技术

纳米压印技术是美国普林斯顿大学华裔科学家周郁在20世纪1995年首先提出的。这项技术具有生产效率高、成本低、工艺过程简单等优点,已被证实是纳米尺寸大面积结构复制最有前途的下一代光刻技术之一。目前该技术能实现分辨率达5nm以下的水平。纳米压印技术主要包括热压印、紫外压印以及微接触印刷。

纳米压印技术是加工聚合物结构最常用的方法,它采用高分辨率电子束等方法将结构复杂的纳米结构图案制在印章上,然后用预先图案化的印章使聚合物材料变形而在聚合物上形成结构图案。

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