由于低导通电阻与广域电流/电压能力，并得益于各种成套选项，包括经业内认可且测量精度可达1.53 mm x 0.77 mm的LGA装置，你可轻松借助TI的MOSFET强化你的设计，而无需在性能上妥协。例如，100V NexFET™ CSD19537Q3 采用3.3-mm x 3.3-mm SON封装的N通道功率MOSFET可以控制建筑物内HVAC系统的交流负荷。

  控制直流负荷

功率BJT或MOSFET通常控制直流负荷。功率BJT为单向且完全可控装置，功率MOSFET则为双向性但仅在一个方向可控，如前文I中所述。由于直流电流为单极性，仅需要一个BJT或MOSFET，如图4所示。这两个装置均需要一个恒定的控制信号以保持在接通状态。SCR与TRIAC不适合此类应用，因为直流负荷的电流不会变为零并使这两种装置自然断开。直流负荷的一个示例是家用电器或工业系统内的直流电机。

图4：带一个功率BJT (a)或功率MOSFET (b)的直流负荷SSR

在变压器耦合中，施加至变压器一次侧与二次侧的控制信号触发功率开关。变压器的益处是功率可随着传送至二次则电路的信号转换。

在光绝缘器耦合中，光敏半导体感测由诸如发光二极管(LED)等光源或红外线源施加的控制信号。光敏半导体发出的信号触发功率开关。此方法不涉及控制输入与负荷之间的电气连接，可确保电气绝缘。缺点是你必须向不包括光耦可控硅的二极侧电路提供一个独立电源。